Компания Micron Technology заявила о доступности первых инженерных
образцов памяти RLDRAM третьего поколения (RLDRAM 3). RLDRAM 3 является
технологией памяти с высокой пропускной способностью, которая
обеспечивает более эффективную передачу информации в сети.
Эта память нацелена на высокопроизводительные сетевые приложения,
включая маршрутизаторы high-end-класса и концентраторы, предъявляющие
высокие требования к производительности чтения/записи или полностью
случайного доступа. Как отмечает Micron в своём пресс-релизе, RLDRAM 3
является идеальным выбором для 40- и 100-Гбит Ethernet-решений,
буферизацией пакетов и таблиц соответствия. Кроме того, эта память
отличается более высокими скоростными характеристиками, плотностью,
низкой латентностью и потребляемой мощностью.
Основными факторами, вызывающими рост требований к эффективности
сетевой инфраструктуры и её подсистемы памяти, являются онлайн-сервисы,
такие как IPTV и видео по запросу, мобильные приложения, облачные
вычисления. RLDRAM 3 характеризуется установившейся скоростью передачи
данных до 2133 Мбит/с и самой низкой в отрасли латентностью при
произвольном доступе – менее 10 нс. Напряжение питания ядра составляет
1,35 В, схем ввода/вывода – 1,2 В.
Источник
|
